Lens Is-goch Silicon (Si) gyda Gorchudd Gwrth-adlewyrchol IR

Disgrifiad Byr:

Lensys is-goch silicon (Si) gyda gorchudd gwrth-adlewyrchol IRyn gydrannau optegol manwl gywir a ddatblygwyd ar gyfer systemau optegol is-goch sydd angen effeithlonrwydd trosglwyddo uchel, sefydlogrwydd thermol, a dibynadwyedd mecanyddol. Gan ddefnyddio silicon grisial sengl gradd optegol a thechnoleg cotio is-goch uwch, mae'r lensys hyn wedi'u optimeiddio i leihau colledion optegol a gwella perfformiad lefel system mewn cymwysiadau is-goch heriol.

Anfonwch e-bost atom ni

Nodweddion

Diagram Manwl

Cyflwyniad lens Si

Oherwydd ei nodweddion trosglwyddo is-goch sefydlog a'i briodweddau ffisegol rhagorol, mae silicon wedi dod yn ddeunydd a fabwysiadwyd yn eang ar gyfer dyluniadau optegol is-goch canolig. Pan gânt eu cyfuno â gorchudd IR AR wedi'i beiriannu'n ofalus, mae lensys silicon yn darparu datrysiad cost-effeithiol a pherfformiad uchel ar gyfer systemau delweddu a synhwyro is-goch modern.

Nodweddion Deunydd a Manteision Perfformiad Si Lens

Mae silicon yn arddangos trosglwyddiad is-goch cyson o fewn y1.2–8 μmystod tonfedd ac mae'n arbennig o addas ar gyfer3–5 μm (MWIR)cymwysiadau. Mae ei briodweddau ffisegol cynhenid yn caniatáu i lensys silicon gynnal sefydlogrwydd optegol a mecanyddol hyd yn oed o dan amodau gweithredu heriol.

Mae manteision deunydd allweddol yn cynnwys:

Dargludedd thermol uchel ar gyfer gwasgariad gwres effeithlon
Cryfder mecanyddol cryf a gwrthiant i sioc thermol
Mas is o'i gymharu â germaniwm, gan alluogi dylunio system gryno
Sefydlogrwydd amgylcheddol a chemegol da
Cydnawsedd â phrosesau gweithgynhyrchu optegol manwl gywir

Mae'r nodweddion hyn yn gwneud lensys silicon yn ddewis ardderchog ar gyfer systemau is-goch y mae'n rhaid iddynt weithredu'n ddibynadwy dros gyfnodau hir neu mewn amgylcheddau tymheredd sy'n amrywio.

Lens Si Dyluniad Gorchudd Gwrth-adlewyrchiad Is-goch

Gan fod gan silicon fynegai plygiannol uchel, gall arwynebau heb eu gorchuddio achosi colledion adlewyrchiad sylweddol. I fynd i'r afael â hyn,haenau gwrth-adlewyrchiad is-gochyn cael eu rhoi ar arwynebau'r lens i wella effeithlonrwydd optegol.

Mae'r gorchudd IR AR wedi'i gynllunio i:

Lleihau adlewyrchiadau Fresnel ar ryngwynebau silicon-aer
Cynyddu trosglwyddiad effeithiol ar draws y band is-goch targed
Gwella eglurder delwedd, cyferbyniad a sensitifrwydd canfod
Atal adlewyrchiadau crwydr o fewn cynulliadau optegol

Gellir optimeiddio dyluniadau cotio ar gyfer ystodau tonfedd penodol fel3–5 μm (MWIR) or 8–12 μm (LWIR), yn ogystal ag ar gyfer bandiau is-goch personol a ddiffinnir gan ofynion y system.

Hyblygrwydd Dylunio a Chynhyrchu Optegol Lens Si

Mae lensys is-goch silicon gyda gorchudd IR AR ar gael mewn ystod eang o gyfluniadau optegol i gefnogi dyluniadau system amrywiol:

Lensys plano-amgrwm, plano-geugrwm, deu-amgrwm, a deu-geugrwm
Geometregau sfferig ac asfferig personol
Gorchudd gwrth-adlewyrchol IR un ochr neu ddwy ochr
Sgleinio manwl gywir ar gyfer ffigur arwyneb a garwedd rheoledig

Rheolir prosesau gweithgynhyrchu yn ofalus i sicrhau cysondeb o ran hyd ffocal, cywirdeb arwyneb, a pherfformiad cotio. Cefnogir dyluniadau personol ar gyfer diamedr, trwch, crymedd, goddefgarwch, a manylebau cotio.

Meysydd Cymhwyso

Defnyddir lensys silicon gyda gorchudd gwrth-adlewyrchol IR yn gyffredin yn:

Systemau delweddu thermol a golwg isgoch
Dyfeisiau canfod is-goch a mesur tymheredd
Offer monitro ac archwilio diwydiannol
Spectrosgopeg isgoch ac offeryniaeth labordy
Systemau dosbarthu laser isgoch a throsglwyddo optegol

Mae eu perfformiad cytbwys a'u gwydnwch yn eu gwneud yn addas ar gyfer cymwysiadau is-goch masnachol a diwydiannol.

Manylebau Technegol – Lens Silicon (Si) gyda Gorchudd Gwrth-adlewyrchol IR

Paramedr	Manyleb
Deunydd	Silicon Grisial Sengl Gradd Optegol (Si)
Ystod Trosglwyddo	1.2 – 8 μm
Band Cymhwysiad Nodweddiadol	3 – 5 μm (MWIR)
Band Gorchudd Dewisol	8 – 12 μm (LWIR), Bandiau IR Personol
Mynegai Plygiannol	~3.42 @ 3.9 μm
Math o Lens	Plano-Amgrwm / Deu-Amgrwm / Plano-Geugrwm / Deu-Geugrwm
Ffigur Arwyneb	≤ λ/10 @ 3.39 μm (arbennig ar gael)
Ansawdd Arwyneb	60/40 neu 40/20 (Crafu/Cloddio)
Goddefgarwch Diamedr	±0.02 mm (ar gael ar gyfer defnydd personol)
Goddefgarwch Trwch Canol	±0.02 mm
Agorfa Clir	≥ 90% o'r Diamedr
Garwedd Arwyneb	≤ 5 nm RMS
Math Gorchudd AR	Gwrth-adlewyrchiad Is-goch (Cotio AR IR)
Dylunio Cotio	AR IR band sengl neu aml-fand
Adlewyrchedd Cyfartalog (Ravg)	≤ 1.0% fesul arwyneb (tonfedd ddylunio)
Ochrau Gorchuddio	Un ochr neu Ddwbl ochr
Tymheredd Gweithredu	-40 °C i +200 °C
Dargludedd Thermol	~150 W/m·K
Dwysedd	~2.33 g/cm³
Sefydlogrwydd Amgylcheddol	Gradd Ddiwydiannol
Addasu	Maint, hyd ffocal, goddefiannau, cotio sydd ar gael

Cwestiynau Cyffredin – Lens Silicon (Si) gyda Gorchudd Gwrth-adlewyrchol IR

1. Pa ystod tonfedd y mae silicon yn addas ar ei gyfer mewn cymwysiadau is-goch?

Mae lensys silicon yn cynnig trosglwyddiad is-goch da yn y1.2–8 μmystod tonfedd ac fe'u defnyddir amlaf yn y3–5 μm (MWIR)band. Ni argymhellir silicon ar gyfer cymwysiadau gweladwy neu bron yn weladwy oherwydd ei drosglwyddiad isel yn y rhanbarthau hynny.

2. Pam mae angen cotio gwrth-adlewyrchol IR ar gyfer lensys silicon?

Mae gan silicon mynegai plygiannol cymharol uchel, sy'n achosi adlewyrchiad arwyneb sylweddol ar lensys heb eu gorchuddio.Gorchudd gwrth-adlewyrchiad IR (AR)yn lleihau'r colledion adlewyrchiad hyn, yn cynyddu trosglwyddiad cyfanswm, ac yn gwella cyferbyniad delwedd a chymhareb signal-i-sŵn mewn systemau optegol is-goch.

3. Ar gyfer pa fandiau tonfedd isgoch y gellir dylunio'r cotio AR?

Gellir optimeiddio'r cotio AR IR ar gyfer gwahanol ystodau tonfedd, gan gynnwys:

3–5 μm (MWIR)
8–12 μm (LWIR)
Bandiau tonfedd is-goch personol ar gais

Gellir teilwra perfformiad cotio i ofynion system penodol.

Amdanom Ni

Mae XKH yn arbenigo mewn datblygu, cynhyrchu a gwerthu gwydr optegol arbennig a deunyddiau crisial newydd mewn technoleg uchel. Mae ein cynnyrch yn gwasanaethu electroneg optegol, electroneg defnyddwyr, a'r fyddin. Rydym yn cynnig cydrannau optegol Saffir, gorchuddion lensys ffonau symudol, Cerameg, LT, Silicon Carbide SIC, Cwarts, a wafers crisial lled-ddargludyddion. Gyda arbenigedd medrus ac offer arloesol, rydym yn rhagori mewn prosesu cynhyrchion ansafonol, gan anelu at fod yn fenter uwch-dechnoleg deunyddiau optoelectroneg flaenllaw.