Ingotau LiNbO₃ wedi'u Dopio â Mg, Cyfeiriadau Toriad-Z 45°, Toriad-Y 64°, Ar Gyfer Systemau Cyfathrebu 5G/6G

Ingotau LiNbO₃ wedi'u Dopio â Mg, Cyfeiriadau Torri-Z 45°, Torri-Y 64°, Ar Gyfer Systemau Cyfathrebu 5G/6G, Delwedd Dethol

Disgrifiad Byr:

Mae ingot LiNbO3 (Ingot Grisial Niobate Lithiwm) yn ddeunydd conglfaen mewn optoelectroneg uwch a thechnolegau cwantwm, sy'n enwog am ei gyfernodau electro-optig eithriadol (γ₃₃= 30.9 pm/V), ystod tryloywder eang (400–5,200 nm), a thymheredd Curie uchel (1210°C). Yn wahanol i ddeunyddiau confensiynol sy'n seiliedig ar silicon, mae ingotau LiNbO3 yn galluogi prosesu signalau amledd uchel a chreu ton-dywysydd ag agorfa fawr, gan eu gwneud yn anhepgor ar gyfer cyfathrebu 5G/6G, ffotonig cwantwm, a synhwyro diwydiannol. Mae datblygiadau diweddar mewn integreiddio heterogenaidd (e.e., wafferi cyfansawdd wedi'u seilio ar Si) a lliniaru diffygion (e.e., dopio Mg) wedi ehangu ei gymhwysedd ymhellach i amgylcheddau eithafol, megis synwyryddion tymheredd uchel (>400°C) a systemau awyrofod sydd wedi'u caledu gan ymbelydredd.

Anfonwch e-bost atom ni

Nodweddion

Paramedrau technegol

Strwythur crisial	Hecsagonol
Cysonyn dellt	a = 5.154 Å c = 13.783 Å
Mp	1650 oC
Dwysedd	7.45 g / cm3
Tymheredd Curie	610°C
Caledwch	5.5 - 6 Mohs
Cyfernod ehangu thermol	aa = 1.61 x 10-6 / k ac = 4.1 x 10-6 / k
Gwrthiant	1015 Wm
Trwyddedrwydd	es11 / e0: 39 ~ 43 es33 / e0: 42 ~ 43 et11 / e0: 51 ~ 54 et11 / e0: 43 ~ 46
Lliw	Di-liw
Drwy ystod o	0.4 ~ 5.0 um
Mynegai plygiant	na = 2.176 ne = 2.180 @ 633 nm

Nodweddion Technegol Allweddol

Mae Ingot LiNbO3 yn arddangos cyfres o briodweddau uwchraddol:

1. Perfformiad Electro-Optig:

Cyfernod Anlinellol Uchel: d₃₃= 34.4 pm/V, gan alluogi cynhyrchu ail harmonig (SHG) effeithlon ac osgiliad parametrig optegol (OPO) ar gyfer ffynonellau is-goch tiwniadwy.

Trosglwyddiad Band Eang: Amsugno lleiaf posibl yn y sbectrwm gweladwy (α < 0.1 dB/cm ar 1550 nm), sy'n hanfodol ar gyfer mwyhaduron optegol band-C a throsi amledd cwantwm.

2. Cadernid Mecanyddol a Thermol:

Ehangu Thermol Isel: CTE = 14.4 × 10⁻⁶/K (echel-a), gan sicrhau cydnawsedd â swbstradau silicon mewn cylchedau ffotonig hybrid.

Ymateb Piezoelectrig Uchel: g₃₃ > 20 mV/m, yn ddelfrydol ar gyfer hidlwyr tonnau acwstig arwyneb (SAW) mewn systemau tonnau mm 5G.

3. Rheoli Diffygion:

Dwysedd Microbibell: <0.1 cm⁻² (ingotau 8 modfedd), wedi'i ddilysu trwy ddiffreithiant pelydr-X synchrotron.

Gwrthiant Ymbelydredd: Ystumio dellt lleiaf posibl o dan feysydd trydanol 100 kV/cm, wedi'i ddilysu mewn profion gradd awyrofod.

Ceisiadau Strategol

Mae Ingot LiNbO3 yn sbarduno arloesedd ar draws meysydd arloesol:

1. Ffotonig Cwantwm:

Ffynonellau Un Ffoton: Gan fanteisio ar drosi i lawr anlinellol, mae LiNbO3 yn galluogi cynhyrchu pâr o ffotonau cymhleth ar gyfer systemau dosbarthu allweddi cwantwm (QKD).

Cof Cwantwm: Mae integreiddio â ffibrau wedi'u dopio ag Er³⁺ yn cyflawni effeithlonrwydd storio o 30% ar 1530 nm, sy'n hanfodol ar gyfer rhwydweithiau cwantwm pellter hir.

2. Systemau Optoelectronig:

Modiwlyddion Cyflymder Uchel: Mae LiNbO3 wedi'i dorri'n X yn cyflawni lled band 40 GHz gyda cholled mewnosod <1 dB, gan berfformio'n well na LiTaO3 mewn trawsderbynyddion optegol 400G.

Dyblu Amledd Laser: Mae LiNbO3 wedi'i dopio â Mg (trothwy 6%) yn lleihau difrod ffoto-blygiannol, gan alluogi trosi sefydlog 1064 nm → 532 nm mewn systemau LiDAR.

3. Synhwyro Diwydiannol:

Synwyryddion Pwysedd Tymheredd Uchel: Yn gweithredu'n barhaus ar 600°C, gan fanteisio ar gyseiniant piezoelectrig ar gyfer monitro piblinellau olew/nwy.

Trawsnewidyddion Cerrynt: Mae cyd-ddopio Fe/Mg yn gwella sensitifrwydd (0.1% FS) mewn cymwysiadau grid clyfar.

Gwasanaethau ac Atebion XKH

Mae ein gwasanaethau Ingot LiNbO3 wedi'u peiriannu ar gyfer graddadwyedd a chywirdeb:

1. Gwneuthuriad Personol:

Dewisiadau Maint: ingotau 3–8 modfedd gyda geometregau toriad X/Y/Z a thoriad Y 42°, goddefgarwch onglog ±0.01°.

Rheoli Dopio: Cyd-ddopio Fe/Mg trwy ddull Czochralski (ystod crynodiad 10¹⁶–10¹⁹ cm⁻³) i optimeiddio ymwrthedd ffoto-blygiannol.

2. Prosesu Uwch:

Integreiddio Heterogenaidd: Waferi cyfansawdd Si-LN (trwch 300–600 nm) gyda dargludedd thermol hyd at 8.78 W/m·K ar gyfer hidlwyr SAW amledd uchel.

Gwneuthuriad Tonfeddi: Mae technegau cyfnewid proton (PE) a chyfnewid proton gwrthdro (RPE) yn cynhyrchu tonfeddi is-micron (Δn > 0.7) ar gyfer modiwleidyddion electro-optig 40 GHz.

3. Sicrwydd Ansawdd:

Profi o'r Dechrau i'r Diwedd: Mae sbectrosgopeg Raman (gwirio polyteip), XRD (crisialedd), ac AFM (morffoleg arwyneb) yn sicrhau cydymffurfiaeth â MIL-PRF-4520J a JEDEC-033.

Logisteg Byd-eang: Llongau dan reolaeth tymheredd (±0.5°C) a chyflenwi brys o fewn 48 awr ar draws Asia-Môr Tawel, Ewrop, a Gogledd America.

Manteision Cystadleuol

1. Effeithlonrwydd Cost: Mae ingotau 8 modfedd yn lleihau gwastraff deunydd 30% o'i gymharu â dewisiadau amgen 4 modfedd, gan ostwng costau fesul uned 18%.

2. Metrigau Perfformiad:

Lled Band Hidlydd SAW: >1.28 GHz (o'i gymharu â 0.8 GHz ar gyfer LiTaO3), yn hanfodol ar gyfer bandiau mmVave 5G.

Cylchu Thermol: Yn goroesi cylchoedd -200–500°C gyda <0.05% o ystofiad, wedi'i ddilysu mewn profion LiDAR modurol.

1. Cynaliadwyedd: Mae dulliau prosesu ailgylchadwy yn lleihau'r defnydd o ddŵr 40% a'r defnydd o ynni 25%.

Casgliad

Mae ingot LiNbO3 yn parhau i fod y deunydd o ddewis ar gyfer optoelectroneg y genhedlaeth nesaf, gan gyfuno perfformiad electro-optig heb ei ail â dibynadwyedd gradd ddiwydiannol. O gyfrifiadura cwantwm i gyfathrebu 6G, mae ei hyblygrwydd a'i raddadwyedd yn ei osod fel galluogwr hanfodol ar gyfer technolegau'r dyfodol. Partnerwch â ni i fanteisio ar atebion dopio, lliniaru diffygion ac integreiddio heterogenaidd arloesol wedi'u teilwra i anghenion eich cymhwysiad.