Templed AlN 50.8mm/100mm ar dempled AlN NPSS/FSS ar saffir

Templed AlN 50.8mm/100mm ar dempled AlN NPSS/FSS ar Ddelwedd dan Sylw saffir

Disgrifiad Byr:

Mae AlN-On-Sapphire yn cyfeirio at gyfuniad o ddeunyddiau lle mae ffilmiau nitrid alwminiwm yn cael eu tyfu ar swbstradau Sapphire.Yn y strwythur hwn, gellir tyfu ffilm nitrid alwminiwm o ansawdd uchel trwy ddyddodiad anwedd cemegol (CVD) neu ddyddodiad anwedd cemegol organometrig (MOCVD), sy'n golygu bod gan y ffilm nitrid alwminiwm a'r swbstrad saffir gyfuniad da.Manteision y strwythur hwn yw bod gan alwminiwm nitrid dargludedd thermol uchel, sefydlogrwydd cemegol uchel a phriodweddau optegol rhagorol, tra bod gan swbstrad saffir briodweddau mecanyddol a thermol rhagorol a thryloywder.

Anfonwch e-bost atom

Manylion Cynnyrch

Tagiau Cynnyrch

AlN-Ar Saffir

Gellir defnyddio AlN-On-Sapphire i wneud amrywiaeth o ddyfeisiau ffotodrydanol, megis:
1. Sglodion LED: Mae sglodion LED fel arfer yn cael eu gwneud o ffilmiau nitrid alwminiwm a deunyddiau eraill.Gellir gwella effeithlonrwydd a sefydlogrwydd y leds trwy ddefnyddio wafferi AlN-On-Sapphire fel swbstrad sglodion LED.
2. Laserau: Gellir defnyddio wafferi AlN-On-Sapphire hefyd fel swbstradau ar gyfer laserau, a ddefnyddir yn gyffredin mewn meddygol, cyfathrebu, a phrosesu deunyddiau.
3. Celloedd solar: Mae gweithgynhyrchu celloedd solar yn gofyn am ddefnyddio deunyddiau fel alwminiwm nitrid.Gall AlN-On-Sapphire fel swbstrad wella effeithlonrwydd a bywyd celloedd solar.
4. Dyfeisiau optoelectroneg eraill: Gellir defnyddio wafferi AlN-On-Sapphire hefyd i weithgynhyrchu ffotodetectors, dyfeisiau optoelectroneg, a dyfeisiau optoelectroneg eraill.

I gloi, defnyddir wafferi AlN-On-Sapphire yn eang yn y maes opto-drydanol oherwydd eu dargludedd thermol uchel, sefydlogrwydd cemegol uchel, colled isel a phriodweddau optegol rhagorol.

Templed AlN 50.8mm/100mm ar NPSS/FSS

Eitem	Sylwadau
Disgrifiad	Templed AlN-ar-NPSS	Templed AlN-ar-FSS
Diamedr waffer	50.8mm, 100mm
Swbstrad	NPSS awyren c	awyren c Planar Sapphire (FSS)
Trwch swbstrad	50.8mm, awyren 100mmc Planar Sapphire (FSS) 100mm : 650 um
Trwch yr epi-haen AIN	3 ~ 4 um (targed: 3.3um)
Dargludedd	Insiwleiddio
Arwyneb	Fel wedi tyfu
	RMS<1nm	RMS<2nm
Cefn	Wedi'i falu
FWHM(002)XRC	< 150 arcsec	< 150 arcsec
FWHM(102)XRC	< 300 arcsec	< 300 arcsec
Gwahardd Ymyl	< 2mm	< 3mm
Cyfeiriadedd fflat cynradd	awyren+0.1°
Hyd fflat cynradd	50.8mm: 16 +/- 1 mm 100mm: 30 +/- 1 mm
Pecyn	Wedi'i becynnu mewn blwch cludo neu gynhwysydd waffer sengl