Ar y 26ain, cyhoeddodd Power Cube Semi ddatblygiad llwyddiannus lled-ddargludydd MOSFET 2300V SiC (Silicon Carbide) cyntaf De Korea.
O'i gymharu â lled-ddargludyddion presennol sy'n seiliedig ar Si (Silicon), gall SiC (Silicon Carbide) wrthsefyll folteddau uwch, ac felly'n cael ei alw'n ddyfais cenhedlaeth nesaf sy'n arwain dyfodol lled-ddargludyddion pŵer.Mae'n elfen hanfodol sy'n ofynnol ar gyfer cyflwyno technolegau blaengar, megis ymlediad cerbydau trydan ac ehangu canolfannau data sy'n cael eu gyrru gan ddeallusrwydd artiffisial.
Mae Power Cube Semi yn gwmni gwych sy'n datblygu dyfeisiau lled-ddargludyddion pŵer mewn tri phrif gategori: SiC (Silicon Carbide), Si (Silicon), a Ga2O3 (Gallium Oxide).Yn ddiweddar, gwnaeth y cwmni gymhwyso a gwerthu Schottky Barrier Diodes (SBDs) gallu uchel i gwmni cerbydau trydan byd-eang yn Tsieina, gan ennill cydnabyddiaeth am ei ddyluniad a thechnoleg lled-ddargludyddion.
Mae rhyddhau'r SiC MOSFET 2300V yn nodedig fel yr achos datblygu cyntaf o'r fath yn Ne Korea.Cyhoeddodd Infineon, cwmni lled-ddargludyddion pŵer byd-eang yn yr Almaen, lansiad ei gynnyrch 2000V ym mis Mawrth hefyd, ond heb linell cynnyrch 2300V.
Mae MOSFET CoolSiC 2000V Infineon, gan ddefnyddio'r pecyn TO-247PLUS-4-HCC, yn cwrdd â'r galw am ddwysedd pŵer cynyddol ymhlith dylunwyr, gan sicrhau dibynadwyedd system hyd yn oed o dan amodau foltedd uchel ac amlder newid llym.
Mae'r MOSFET CoolSiC yn cynnig foltedd cyswllt cerrynt uniongyrchol uwch, gan alluogi cynnydd pŵer heb gynyddu cerrynt.Dyma'r ddyfais carbid silicon arwahanol gyntaf ar y farchnad gyda foltedd chwalu o 2000V, gan ddefnyddio'r pecyn TO-247PLUS-4-HCC gyda phellter ymgripiad o 14mm a chliriad o 5.4mm.Mae'r dyfeisiau hyn yn cynnwys colledion newid isel ac maent yn addas ar gyfer cymwysiadau fel gwrthdroyddion llinyn solar, systemau storio ynni, a gwefru cerbydau trydan.
Mae cyfres cynnyrch CoolSiC MOSFET 2000V yn addas ar gyfer systemau bysiau DC foltedd uchel hyd at 1500V DC.O'i gymharu â'r 1700V SiC MOSFET, mae'r ddyfais hon yn darparu digon o ymyl overvoltage ar gyfer systemau 1500V DC.Mae'r MOSFET CoolSiC yn cynnig foltedd trothwy 4.5V ac mae'n cynnwys deuodau corff cadarn ar gyfer cymudo caled.Gyda thechnoleg cysylltiad .XT, mae'r cydrannau hyn yn cynnig perfformiad thermol rhagorol a gwrthsefyll lleithder cryf.
Yn ogystal â'r MOSFET CoolSiC 2000V, bydd Infineon yn lansio deuodau CoolSiC cyflenwol yn fuan wedi'u pecynnu mewn pecynnau TO-247PLUS 4-pin a TO-247-2 yn nhrydydd chwarter 2024 a chwarter olaf 2024, yn y drefn honno.Mae'r deuodau hyn yn arbennig o addas ar gyfer cymwysiadau solar.Mae cyfuniadau cynnyrch gyrrwr giât cyfatebol ar gael hefyd.
Mae cyfres cynnyrch CoolSiC MOSFET 2000V bellach ar gael ar y farchnad.Ar ben hynny, mae Infineon yn cynnig byrddau gwerthuso addas: EVAL-COOLSIC-2KVHCC.Gall datblygwyr ddefnyddio'r bwrdd hwn fel llwyfan prawf cyffredinol manwl gywir i werthuso'r holl MOSFETs a deuodau CoolSiC sydd â sgôr o 2000V, yn ogystal â chyfres cynnyrch 1ED31xx gyrrwr giât ynysu un sianel gryno EiceDRIVER trwy weithrediad PWM deuol neu weithrediad parhaus.
Dywedodd Gung Shin-soo, Prif Swyddog Technoleg Power Cube Semi, “Roeddem yn gallu ymestyn ein profiad presennol o ddatblygu a chynhyrchu màs o 1700V SiC MOSFETs i 2300V.
Amser postio: Ebrill-08-2024