Cynhyrchion
-
Dia50.8×0.1/0.17/0.2/0.25/0.3mmt Swbstrad Sapphire Wafer SSP parod
-
Dull prosesu arwyneb gwiail laser grisial saffir â dop titaniwm
-
Sgwâr Ti: Dimensiwn ffenestri saffir 106 × 5.0mmt Doped Ti3+ neu ddeunydd rhuddem Cr3+
-
rhuddemau/rwbïau wedi'u creu gan labordy ar werth Ruby# 5 Al2O3
-
Deunydd rhuddem Corundwm artiffisial ar gyfer deunydd gwreiddiol gem Pinc coch
-
Deunydd rhuddem gwaed colomennod wedi'i ddopio Ti3+ Cr3+ ar gyfer gwydr gwylio gem
-
Casét 12 modfedd silicon wafer cludwr blwch silicon Wafer Cynhwysydd Cysgodi Blwch Wafer IC
-
Blwch cludwr swbstrad waffer sengl 12 modfedd 300mm o PC a PP
-
Waffer swbstrad SiC 4H-N 8 modfedd Silicon Carbide Dymi Ymchwil gradd 500um o drwch
-
Wafferi SiC Silicon Carbide 8 modfedd 200mm 4H-N math Cynhyrchu gradd 500um trwch
-
8 modfedd 200mm Sapphire Wafer Carrier Subsrate 1SP 2SP 0.5mm 0.75mm
-
Al2O3 purdeb uchel 4 modfedd 99.999% Wafer swbstrad Sapphire Dia101.6 × 0.65mmt gyda Hyd Fflat Cynradd