Prism / Drych Silicon Carbide Ar Gyfer Opteg Isgoch Gradd Awyrofod

Disgrifiad Byr:

Mae'r drych gwastad silicon carbide (SiC) yn gydran optegol premiwm a weithgynhyrchir o serameg SiC uwch. Gyda chymhareb anystwythder-i-bwysau eithriadol, perfformiad is-goch uwchraddol, a gwydnwch amgylcheddol rhagorol, mae'n ddewis delfrydol ar gyfer systemau optegol heriol. O'i gymharu â deunyddiau traddodiadol fel silica wedi'i asio, germaniwm, a sinc selenid, nid yn unig y mae drychau SiC yn rhagori yn y sbectrwm is-goch canolig i bell ond maent hefyd yn darparu pwysau ysgafn, cryfder mecanyddol uchel, a sefydlogrwydd hirdymor o dan amodau gweithredu llym.

Anfonwch e-bost atom ni

Nodweddion

Diagram Manwl

Trosolwg

Mae'r drych hwn yn cael ei fabwysiadu'n eang mewn llwythi awyrofod, systemau laser, delweddu is-goch, a metroleg manwl gywir.

Nodweddion Allweddol

Optimeiddio strwythurol ysgafnMae dyluniad uwch gyda strwythurau diliau mêl a thopoleg yn lleihau pwysau heb aberthu cryfder.
Ultra-ysgafnLlawer ysgafnach na swbstradau drych confensiynol, hanfodol ar gyfer llwyfannau awyrofod a symudol.
Anystwythder uchelYn cynnal cywirdeb ffigur arwyneb hyd yn oed gyda ffurfweddiadau agorfa fawr a drych tenau.
Ehangu thermol iselYn gwarantu perfformiad optegol ar draws amrywiadau tymheredd cyflym neu eithafol.
Gwrthiant crafu a gwisgoCaledwch agos at ddiamwnt, yn gallu gwrthsefyll crafiad amgylcheddol.
Gorffen arwyneb manwl gywirGwastadrwydd ≤ 1 μm, ansawdd arwyneb addas ar gyfer cymwysiadau delweddu a laser heriol.

Manteision Perfformiad

Modiwlws uchel a sefydlogrwydd dimensiynolModiwlws elastig hyd at 420–450 GPa, gan sicrhau perfformiad sefydlog o dan lwythi trwm a dirgryniadau.
Ystumio thermol lleiaf posiblCyfernod ehangu thermol (CTE) isel iawn, gan sicrhau sefydlogrwydd optegol mewn amgylcheddau thermol amrywiol.
Sioc thermol a gwrthsefyll cyrydiadSefydlog yn erbyn amgylcheddau asid/alcali ac yn gwrthsefyll amrywiadau tymheredd cyflym.
Microstrwythur dwys, heb mandyllauDwysedd swmp hyd at 3.14 g/cm³ heb unrhyw mandylledd gweddilliol ar ôl peiriannu, gan ddarparu adlewyrchedd a chyfanrwydd strwythurol rhagorol.

Cymwysiadau

Opteg is-gochSystemau delweddu is-goch canolig a phell, camerâu thermol, ac opteg gwyliadwriaeth.
Laser ac optoelectronegDrychau laser pŵer uchel, llywio trawst, a chynulliadau optegol adlewyrchol.
Awyrofod a seryddiaethDrychau telesgop gofod, llwythi lloeren, ac offerynnau optegol yn yr awyr.
Amddiffyn a diogelwchSystemau canllaw IR, drychau targedu, ac opteg gweledigaeth nos.
Metroleg fanwl gywirdebInterferometreg, profi gwastadrwydd, ac opteg gyfeirio ar gyfer calibradu.

Cwestiynau Cyffredin

C1: A yw drych SiC yn adlewyrchu mewn tonfeddi gweladwy?
A1: Mae'r swbstrad ei hun yn afloyw, ond gyda haenau adlewyrchol priodol (metelaidd neu ddeuelectrig), gall drychau gwastad SiC weithredu'n effeithiol mewn tonfeddi gweladwy, is-goch, a hyd yn oed laser.

C2: Pa fanteision mae SiC yn eu cynnig dros ddrychau gwydr neu fetel?
A2: Mae SiC yn sylweddol ysgafnach, yn fwy anhyblyg, ac yn fwy sefydlog yn thermol na swbstradau gwydr neu fetel. Mae hefyd yn llawer mwy gwydn mewn amgylcheddau llym neu ofod.

C3: A ellir defnyddio drychau gwastad SiC mewn cymwysiadau laser pŵer uchel?
A3: Ydw. Gyda dargludedd thermol rhagorol a sefydlogrwydd mecanyddol, mae swbstradau SiC yn ddelfrydol ar gyfer drychau laser pŵer uchel neu egni uchel pan gânt eu paru â haenau addas.

C4: Pa lefel o wastadrwydd y gellir ei chyflawni?
A4: Ar ôl caboli manwl iawn, gall gwastadrwydd gyrraedd ≤ 1 μm, gyda pharalelrwydd a garwedd arwyneb yn cael eu rheoli i fodloni manylebau optegol llym.

Amdanom Ni

Mae XKH yn arbenigo mewn datblygu, cynhyrchu a gwerthu gwydr optegol arbennig a deunyddiau crisial newydd mewn technoleg uchel. Mae ein cynnyrch yn gwasanaethu electroneg optegol, electroneg defnyddwyr, a'r fyddin. Rydym yn cynnig cydrannau optegol Saffir, gorchuddion lensys ffonau symudol, Cerameg, LT, Silicon Carbide SIC, Cwarts, a wafers crisial lled-ddargludyddion. Gyda arbenigedd medrus ac offer arloesol, rydym yn rhagori mewn prosesu cynhyrchion ansafonol, gan anelu at fod yn fenter uwch-dechnoleg deunyddiau optoelectroneg flaenllaw.