Silicon-On-Insulator swbstrad SOI wafer tair haen ar gyfer Microelectroneg ac Amledd Radio

Wafer SOI swbstrad Silicon-Ar-Inswleiddiwr tair haen ar gyfer Microelectroneg ac Amledd Radio Delwedd

Disgrifiad Byr:

SOI enw llawn Silicon On Insulator, yw ystyr strwythur transistor silicon ar ben yr inswleiddiwr, yr egwyddor yw rhwng y transistor silicon, ychwanegu deunydd ynysydd, gall wneud y cynhwysedd parasitig rhwng y ddau na'r gwreiddiol yn llai na dwbl.

Anfonwch e-bost atom

Manylion Cynnyrch

Tagiau Cynnyrch

Cyflwyno blwch wafferi

Cyflwyno ein wafer Silicon-On-Insulator (SOI) datblygedig, wedi'i beiriannu'n fanwl gyda thair haen wahanol, gan chwyldroi cymwysiadau microelectroneg ac amledd radio (RF). Mae'r swbstrad arloesol hwn yn cyfuno haen silicon uchaf, haen ocsid inswleiddio, a swbstrad silicon gwaelod i gyflawni perfformiad ac amlbwrpasedd heb ei ail.

Wedi'i gynllunio ar gyfer gofynion microelectroneg fodern, mae ein waffer SOI yn darparu sylfaen gadarn ar gyfer cynhyrchu cylchedau integredig cymhleth (ICs) gyda chyflymder, effeithlonrwydd pŵer a dibynadwyedd uwch. Mae'r haen silicon uchaf yn galluogi integreiddio cydrannau electronig cymhleth yn ddi-dor, tra bod yr haen ocsid inswleiddio yn lleihau cynhwysedd parasitig, gan wella perfformiad cyffredinol y ddyfais.

Ym maes cymwysiadau RF, mae ein waffer SOI yn rhagori gyda'i gynhwysedd parasitig isel, foltedd chwalu uchel, a'i briodweddau ynysu rhagorol. Yn ddelfrydol ar gyfer switshis RF, chwyddseinyddion, hidlwyr, a chydrannau RF eraill, mae'r swbstrad hwn yn sicrhau'r perfformiad gorau posibl mewn systemau cyfathrebu diwifr, systemau radar, a mwy.

Ar ben hynny, mae goddefgarwch ymbelydredd cynhenid ein waffer SOI yn ei gwneud yn ddelfrydol ar gyfer cymwysiadau awyrofod ac amddiffyn, lle mae dibynadwyedd mewn amgylcheddau garw yn hollbwysig. Mae ei adeiladwaith cadarn a nodweddion perfformiad eithriadol yn gwarantu gweithrediad cyson hyd yn oed mewn amodau eithafol.

Nodweddion Allweddol:

Pensaernïaeth Tair Haen: Haen silicon uchaf, haen ocsid inswleiddio, a swbstrad silicon gwaelod.

Perfformiad Microelectroneg Superior: Yn galluogi gwneuthuriad ICs uwch gyda chyflymder gwell ac effeithlonrwydd pŵer.

Perfformiad RF Ardderchog: Cynhwysedd parasitig isel, foltedd chwalu uchel, a phriodweddau ynysu uwch ar gyfer dyfeisiau RF.

Dibynadwyedd Graddfa Awyrofod: Mae goddefgarwch ymbelydredd cynhenid yn sicrhau dibynadwyedd mewn amgylcheddau garw.

Cymwysiadau Amlbwrpas: Yn addas ar gyfer ystod eang o ddiwydiannau, gan gynnwys telathrebu, awyrofod, amddiffyn, a mwy.

Profwch y genhedlaeth nesaf o ficroelectroneg a thechnoleg RF gyda'n waffer uwch Silicon-On-Insulator (SOI). Datgloi posibiliadau newydd ar gyfer arloesi a gyrru cynnydd yn eich cymwysiadau gyda'n datrysiad swbstrad blaengar.