Swbstrad
-
Gall Ingot Silicon Carbide SiC 6 modfedd N math dymi/trwch gradd flaenaf gael ei addasu
-
SiC Ingot 4H-N math dymi gradd 2 fodfedd 3 modfedd 4 modfedd 6 modfedd trwch: ＞ 10mm
-
Dia afrlladen HPSI SiC: trwch 3 modfedd: 350um ± 25 µm ar gyfer Power Electronics
-
Lled-Insiwleiddio purdeb 3 modfedd uchel （HPSI） Wafferi SiC 350um gradd ffug Gradd gysefin
-
Sic swbstrad Silicon carbid Wafer 4H-N Math Caledwch Uchel Gwrthsefyll cyrydu sgleinio Prif Radd
-
2 Fodfedd 6H-N Silicon Carbide swbstrad Sic Wafer Dwbl sgleinio dargludol Prime Grade Mos Gradd
-
Wafer Silicon Carbide 2 fodfedd 6H-N Math Prif Radd Ymchwil Gradd Dymi Gradd 330μm 430μm Trwch
-
Is-haen carbid silicon 2 fodfedd 6H-N diamedr caboledig dwyochrog 50.8mm gradd ymchwil gradd cynhyrchu
-
math p 4H/6H-P 3C-N MATH SIC swbstrad 4 modfedd 〈111〉± 0.5 ° Sero MPD
-
Swbstrad SiC P-math 4H/6H-P 3C-N 4 modfedd o drwch withe o 350um gradd Cynhyrchu gradd dymi
-
4H/6H-P 6 modfedd o waffer SiC Sero gradd MPD Gradd Cynhyrchu Gradd Ffug
-
Wafer SiC math P 4H/6H-P 3C-N Trwch 6 modfedd 350 μm gyda Chyfeiriadedd Gwastad Cynradd