Wafferi SiC 4 modfedd 6H Is-haenau SiC Lled-Insiwleiddio Yn cynnwys gradd gysefin, ymchwil a dymi

Wafferi SiC 4 modfedd 6H Swbstradau SiC Lled-Insiwleiddio Yn cynnwys cysefin, ymchwil a dymi Delwedd dan Sylw

Disgrifiad Byr:

Mae swbstrad carbid silicon lled-inswleiddio yn cael ei ffurfio trwy dorri, malu, sgleinio, glanhau a thechnoleg prosesu arall ar ôl twf crisial carbid silicon lled-inswleiddio.Tyfir haenen neu haen grisial multilayer ar y swbstrad sy'n bodloni'r gofynion ansawdd fel epitaxy, ac yna gwneir y ddyfais RF microdon trwy gyfuno'r dyluniad cylched a phecynnu.Ar gael fel swbstradau crisial sengl carbid silicon lled-inswleiddio 2inch 3inch 4incgh 6inch 8 modfedd diwydiannol, ymchwil a phrawf.

Anfonwch e-bost atom

Manylion Cynnyrch

Tagiau Cynnyrch

Manyleb Cynnyrch

Gradd			Gradd Cynhyrchu MPD Sero (Gradd Z)			Gradd Cynhyrchu Safonol (Gradd P)		Gradd ffug (Gradd D)
Diamedr			99.5 mm ~ 100.0 mm
	4H-SI		500 μm±20 μm			500 μm±25 μm
Cyfeiriadedd Wafferi			Echel oddi ar: 4.0° tuag at< 1120 > ±0.5° ar gyfer 4H-N, Ar echel : <0001>±0.5° ar gyfer 4H-SI
	4H-SI		≤1cm^-2			≤5 cm^-2		≤15 cm^-2
	4H-SI		≥1E9 Ω·cm					≥1E5 Ω·cm
Cyfeiriadedd Fflat Cynradd		{10-10} ±5.0°
Hyd Fflat Cynradd		32.5 mm±2.0 mm
Hyd Fflat Uwchradd		18.0 mm±2.0 mm
Cyfeiriadedd Fflat Eilaidd		Wyneb silicon i fyny: 90 ° CW.o fflat Prime ±5.0°
Gwahardd Ymyl		3 mm
LTV/TTV/Bow/Warp		≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm						≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Garwedd			C wyneb				Pwyleg		Ra≤1 nm
			Si wyneb	CMP	Ra≤0.2 nm					Ra≤0.5 nm
Craciau Ymyl Gan Golau Dwysedd Uchel		Dim						Hyd cronnus ≤ 10 mm, sengl hyd≤2 mm
Platiau Hecs Gan Golau Dwysedd Uchel		Arwynebedd cronnus ≤0.05%						Arwynebedd cronnus ≤0.1%
Ardaloedd Polyteip Gan Golau Dwysedd Uchel		Dim						Arwynebedd cronnus ≤3%
Cynhwysiadau Carbon Gweledol		Arwynebedd cronnus ≤0.05%						Arwynebedd cronnus ≤3%
Crafiadau Arwyneb Silicon Gan Golau Dwysedd Uchel		Dim						Hyd cronnus ≤1 ＊ diamedr afrlladen
Sglodion Ymyl Uchel Gan Dwysedd Golau		Ni chaniateir dim ≥0.2 mm o led a dyfnder						5 a ganiateir, ≤1 mm yr un
Halogi Arwyneb Silicon Gan Dwysedd Uchel		Dim
Pecynnu		Casét Aml-waffer Neu Gynhwysydd Wafferi Sengl