Waffer swbstrad SiC 4H-N 8 modfedd Silicon Carbide Dymi Ymchwil gradd 500um o drwch

Wafer swbstrad SiC 4H-N 8 modfedd Silicon Carbide Dymi Ymchwil gradd 500um trwch Delwedd Sylw

Disgrifiad Byr:

Defnyddir wafferi silicon carbid mewn dyfeisiau electronig fel deuodau pŵer, MOSFETs, dyfeisiau microdon pŵer uchel, a transistorau RF, gan alluogi trosi ynni a rheoli pŵer yn effeithlon.Mae wafferi a swbstradau SiC hefyd yn cael eu defnyddio mewn electroneg modurol, systemau awyrofod, a thechnolegau ynni adnewyddadwy.

Anfonwch e-bost atom

Manylion Cynnyrch

Tagiau Cynnyrch

Sut Ydych chi'n Dewis Wafferi Silicon Carbide a Swbstradau SiC?

Wrth ddewis wafferi a swbstradau carbid silicon (SiC), mae sawl ffactor i'w hystyried.Dyma rai meini prawf pwysig:

Math o Ddeunydd: Darganfyddwch y math o ddeunydd SiC sy'n addas i'ch cais, fel 4H-SiC neu 6H-SiC.Y strwythur grisial a ddefnyddir amlaf yw 4H-SiC.

Math o Gyffuriau: Penderfynwch a oes angen swbstrad SiC wedi'i dopio neu heb ei ddopio.Mathau o dopio cyffredin yw math N (n-doped) neu fath P (p-doped), yn dibynnu ar eich gofynion penodol.

Ansawdd Grisial: Aseswch ansawdd grisial y wafferi neu'r swbstradau SiC.Mae'r ansawdd a ddymunir yn cael ei bennu gan baramedrau megis nifer y diffygion, cyfeiriadedd crisialog, a garwder arwyneb.

Diamedr Wafferi: Dewiswch y maint wafferi priodol yn seiliedig ar eich cais.Mae meintiau cyffredin yn cynnwys 2 fodfedd, 3 modfedd, 4 modfedd, a 6 modfedd.Po fwyaf yw'r diamedr, y mwyaf o gynnyrch y gallwch ei gael fesul wafer.

Trwch: Ystyriwch drwch dymunol y wafferi neu'r swbstradau SiC.Mae opsiynau trwch nodweddiadol yn amrywio o ychydig ficromedrau i gannoedd o ficrometrau.

Cyfeiriadedd: Darganfyddwch y cyfeiriadedd crisialog sy'n cyd-fynd â gofynion eich cais.Mae cyfeiriadedd cyffredin yn cynnwys (0001) ar gyfer 4H-SiC a (0001) neu (0001̅) ar gyfer 6H-SiC.

Gorffeniad Arwyneb: Gwerthuswch orffeniad wyneb y wafferi neu'r swbstradau SiC.Dylai'r wyneb fod yn llyfn, yn sgleinio, ac yn rhydd o grafiadau neu halogion.

Enw Da Cyflenwr: Dewiswch gyflenwr ag enw da sydd â phrofiad helaeth o gynhyrchu wafferi a swbstradau SiC o ansawdd uchel.Ystyriwch ffactorau megis galluoedd gweithgynhyrchu, rheoli ansawdd, ac adolygiadau cwsmeriaid.

Cost: Ystyriwch y goblygiadau cost, gan gynnwys y pris fesul wafer neu swbstrad ac unrhyw gostau addasu ychwanegol.

Mae'n bwysig asesu'r ffactorau hyn yn ofalus ac ymgynghori ag arbenigwyr neu gyflenwyr y diwydiant i sicrhau bod y wafferi a'r swbstradau SiC a ddewiswyd yn bodloni eich gofynion cais penodol.