GaN 50.8mm 2 fodfedd ar wafferi Epi-haen saffir

GaN 50.8mm 2 fodfedd ar wafer Epi-haen saffir Delwedd Sylw

Disgrifiad Byr:

Fel y deunydd lled-ddargludyddion trydydd cenhedlaeth, mae gan gallium nitride fanteision ymwrthedd tymheredd uchel, cydnawsedd uchel, dargludedd thermol uchel a bwlch band eang.Yn ôl gwahanol ddeunyddiau swbstrad, gellir rhannu taflenni epitaxial gallium nitride yn bedwar categori: gallium nitride yn seiliedig ar gallium nitride, gallium nitride carbid silicon yn seiliedig, gallium nitride saffir a gallium nitride seiliedig ar silicon.Taflen epitaxial gallium nitride silicon yw'r cynnyrch a ddefnyddir fwyaf eang gyda chost cynhyrchu isel a thechnoleg cynhyrchu aeddfed.

Anfonwch e-bost atom

Manylion Cynnyrch

Tagiau Cynnyrch

Cymhwyso taflen epitaxial gallium nitride GaN

Yn seiliedig ar berfformiad gallium nitride, mae sglodion epitaxial gallium nitride yn bennaf addas ar gyfer cymwysiadau pŵer uchel, amlder uchel a foltedd isel.

Mae'n cael ei adlewyrchu yn:

1) Bandgap uchel: Mae bandgap uchel yn gwella lefel foltedd dyfeisiau gallium nitride a gall allbwn pŵer uwch na dyfeisiau gallium arsenide, sy'n arbennig o addas ar gyfer gorsafoedd sylfaen cyfathrebu 5G, radar milwrol a meysydd eraill;

2) Effeithlonrwydd trosi uchel: mae gwrth-ymwrthedd dyfeisiau electronig pŵer newid gallium nitride yn 3 gorchymyn maint yn is na dyfeisiau silicon, a all leihau'r golled wrth-newid yn sylweddol;

3) Dargludedd thermol uchel: mae dargludedd thermol uchel gallium nitride yn golygu bod ganddo berfformiad afradu gwres rhagorol, sy'n addas ar gyfer cynhyrchu dyfeisiau pŵer uchel, tymheredd uchel a meysydd eraill;

4) Cryfder maes trydan dadansoddiad: Er bod dadansoddiad cryfder maes trydan nitrid gallium yn agos at gryfder nitrid silicon, oherwydd y broses lled-ddargludyddion, diffyg cyfatebiaeth dellt materol a ffactorau eraill, mae goddefgarwch foltedd dyfeisiau nitrid gallium fel arfer tua 1000V, ac mae'r mae foltedd defnydd diogel fel arfer yn is na 650V.

Eitem	GaN-TCU-C50	GaN-TCN-C50	GaN-TCP-C50
Dimensiynau	e 50.8mm ± 0.1mm
Trwch	4.5±0.5 um		4.5±0.5wm
Cyfeiriadedd	Awyren C(0001) ±0.5°
Math Dargludiad	Math N (Heb ei ddadwneud)	Math N (Si-doped)	Math P (Mg-doped)
Gwrthedd(3O0K)	< 0.5 C・cm	< 0.05 Q・cm	~ 10 Q・cm
Crynodiad Cludwyr	< 5x10¹⁷cm^-3	> 1x10¹⁸cm^-3	> 6x1016 cm^-3
Symudedd	~ 300 cm²/Vs	~ 200 cm²/Vs	~ 10 cm²/Vs
Dwysedd Dadleoli	Llai na 5x10⁸cm^-2(wedi'i gyfrifo gan FWHMs o XRD)
Strwythur swbstrad	GaN ar Sapphire (Safon: Opsiwn SSP: DSP)
Arwynebedd Defnyddiadwy	> 90%
Pecyn	Wedi'i becynnu mewn amgylchedd ystafell lân dosbarth 100, mewn casetiau o 25pcs neu gynwysyddion wafferi sengl, o dan awyrgylch nitrogen.