6 modfedd GaN-Ar-Sapphire

Delwedd dan Sylw GaN-Ar-Saffir 6 modfedd

Disgrifiad Byr:

GaN 150mm 6 modfedd ar wafer epitaxial Silicon/Sapphire/SiC Gallium nitride epitaxial wafer

Mae'r wafer swbstrad saffir 6-modfedd yn ddeunydd lled-ddargludyddion o ansawdd uchel sy'n cynnwys haenau o gallium nitride (GaN) a dyfir ar swbstrad saffir.Mae gan y deunydd briodweddau trafnidiaeth electronig rhagorol ac mae'n ddelfrydol ar gyfer gweithgynhyrchu dyfeisiau lled-ddargludyddion pŵer uchel ac amledd uchel.

Anfonwch e-bost atom

Manylion Cynnyrch

Tagiau Cynnyrch

GaN 150mm 6 modfedd ar wafer epitaxial Silicon/Sapphire/SiC Gallium nitride epitaxial wafer

Dull gweithgynhyrchu: Mae'r broses weithgynhyrchu yn cynnwys tyfu haenau GaN ar swbstrad saffir gan ddefnyddio technegau uwch megis dyddodiad anwedd cemegol metel-organig (MOCVD) neu epitaxy trawst moleciwlaidd (MBE).Mae'r broses dyddodiad yn cael ei wneud o dan amodau rheoledig i sicrhau ansawdd grisial uchel a ffilm unffurf.

Cymwysiadau GaN-On-Sapphire 6 modfedd: Defnyddir sglodion swbstrad saffir 6-modfedd yn eang mewn cyfathrebu microdon, systemau radar, technoleg diwifr ac optoelectroneg.

Mae rhai cymwysiadau cyffredin yn cynnwys

1. mwyhadur pŵer rf

2. diwydiant goleuadau LED

3. Offer cyfathrebu rhwydwaith di-wifr

4. Dyfeisiau electronig mewn amgylchedd tymheredd uchel

5. Dyfeisiau optoelectroneg

Manylebau cynnyrch

- Maint: Mae diamedr y swbstrad yn 6 modfedd (tua 150 mm).

- Ansawdd wyneb: Mae'r wyneb wedi'i sgleinio'n fân i ddarparu ansawdd drych rhagorol.

- Trwch: Gellir addasu trwch haen GaN yn unol â gofynion penodol.

- Pecynnu: Mae'r swbstrad wedi'i bacio'n ofalus â deunyddiau gwrth-sefydlog i atal difrod wrth ei gludo.

- Ymylon lleoli: Mae gan y swbstrad ymylon lleoli penodol sy'n hwyluso aliniad a gweithrediad wrth baratoi dyfais.

- Paramedrau eraill: Gellir addasu paramedrau penodol megis tenau, gwrthedd a chrynodiad dopio yn unol â gofynion y cwsmer.

Gyda'u priodweddau deunydd uwch a'u cymwysiadau amrywiol, mae wafferi swbstrad saffir 6 modfedd yn ddewis dibynadwy ar gyfer datblygu dyfeisiau lled-ddargludyddion perfformiad uchel mewn amrywiol ddiwydiannau.

Swbstrad	6” 1mm <111> p-math Si	6” 1mm <111> p-math Si
Epi TrwchAvg	~5um	~7um
Epi ThickUnif	<2%	<2%
Bwa	+/-45wm	+/-45wm
Cracio	<5mm	<5mm
BV fertigol	>1000V	>1400V
HEMT Al %	25-35%	25-35%
HEMT ThickAvg	20-30nm	20-30nm
Insitu SiN Cap	5-60nm	5-60nm
2DEG conc.	~10¹³cm^-2	~10¹³cm^-2
Symudedd	~2000cm²/Vs (<2%)	~2000cm²/Vs (<2%)
Rsh	<330ohm/sg (<2%)	<330ohm/sg (<2%)