Wafer Silicon 6 modfedd Math-N neu fath-P Wafer CZ Si

Wafer Silicon 6 modfedd Math-N neu Math-P Wafer CZ Si Delwedd Dethol

Disgrifiad Byr:

Mae waferi silicon 6 modfedd yn ddeunydd swbstrad silicon cyffredin a ddefnyddir yn helaeth wrth weithgynhyrchu cylchedau integredig. Mae'r waferi hyn yn cael eu prosesu a'u glanhau i greu gwahanol fathau o gylchedau integredig, gan gynnwys microbroseswyr, sglodion cof, synwyryddion, a dyfeisiau electronig eraill. Mae manteision waferi silicon 6 modfedd yn cynnwys eu harwynebedd mawr, eu dargludedd thermol da, a'u cost gymharol isel. Mae'r nodweddion hyn yn gwneud waferi silicon 6 modfedd yn un o'r dewisiadau delfrydol ar gyfer gweithgynhyrchu cylchedau integredig.

Anfonwch e-bost atom ni

Manylion Cynnyrch

Tagiau Cynnyrch

Cyflwyno blwch wafer

Manylebau wafer Silicon:

Twf wafer silicon 6 modfedd: CZ, MCZ, FZ.

6 Gradd wafer silicon: Prif, Prawf, Ffug, ac ati

Diamedr wafer silicon 6 modfedd: 6 modfedd / 150mm.

Trwch wafer silicon 6 modfedd: 200 ~ 3000um.

Gorffeniad wafer silicon 6 modfedd: Fel y'i torwyd, y'i lapiowyd, ysgythrwyd, SSP, DSP, ac ati.

Cyfeiriadedd wafer silicon 6 modfedd: (100) (111) (110) (531)(553) ac ati.

Toriad oddi ar wafer silicon 6 modfedd: hyd at 4 gradd.

Wafer Silicon 6 modfedd Math/Dopant: P/B, N/Phos, N/As, N/Sb, Cynhenid.

Gwrthiant wafer silicon 6 modfedd: CZ/MCZ: O 0.001 i 1000 ohm-cm. FZ: hyd at 20k ohm-cm.

Ffilmiau tenau wafer silicon 6 modfedd: (a) PVD: Al, Cu, Au, Cr, Si, Ni;, Fe, Mo. ac ati, trwch cotio hyd at 20.000A/5%.

(b) LPCVD/PECVD: Ocsid, Nitrid, siC, ac ati, Trwch cotio hyd at 200.000A/3%.

(c)Waferi epitacsial silicon a gwasanaethau epitacsial (SOS, GaN, GOI ac ati).

Prosesau wafer silicon 6 modfedd: a.DSP, ultra-denau, ultra-fflat, ac ati.

b. Lleihau maint, malu'n ôl, deisio, ac ati. c. MEMS.

Ers 2010, mae Shanghai XKH Material Tech. Co.,Ltd wedi ymrwymo i ddarparu atebion cynhwysfawr ar gyfer Wafer Silicon 4 modfedd i gwsmeriaid, o waferi lefel dadfygio Wafer Ffug, waferi lefel prawf Wafer Prawf, i waferi lefel cynnyrch Prime Wafer, yn ogystal â waferi arbennig, waferi Ocsid Ocsid, waferi Nitrid Si3N4, waferi wedi'u platio ag alwminiwm, waferi silicon wedi'u platio â chopr, Wafer SOI, Gwydr MEMS, waferi uwch-drwchus ac uwch-wastad wedi'u haddasu, ac ati, gyda meintiau'n amrywio o 50mm-300mm, a gallwn ddarparu waferi lled-ddargludyddion gyda gwasanaethau caboli, teneuo, deisio, MEMS a gwasanaethau prosesu ac addasu un ochr/dwy ochr.