Swbstrad adfer ffug wafer silicon 8 modfedd math P/N (100) 1-100Ω

Disgrifiad Byr:

Rhestr fawr o wafferi caboledig dwy ochr, pob waffer o 50 i 400mm mewn diamedr. Os nad yw eich manyleb ar gael yn ein rhestr eiddo, rydym wedi sefydlu perthnasoedd hirdymor gyda llawer o gyflenwyr sy'n gallu cynhyrchu wafferi yn ôl eich anghenion i gyd-fynd ag unrhyw fanyleb unigryw. Gellir defnyddio wafferi caboledig dwy ochr ar gyfer silicon, gwydr a deunyddiau eraill a ddefnyddir yn gyffredin yn y diwydiant lled-ddargludyddion.

Anfonwch e-bost atom ni

Nodweddion

Cyflwyno blwch wafer

Mae'r wafer silicon 8 modfedd yn ddeunydd swbstrad silicon a ddefnyddir yn gyffredin ac fe'i defnyddir yn helaeth yn y broses weithgynhyrchu cylchedau integredig. Defnyddir wafers silicon o'r fath yn gyffredin i wneud gwahanol fathau o gylchedau integredig, gan gynnwys microbroseswyr, sglodion cof, synwyryddion a dyfeisiau electronig eraill. Defnyddir wafers silicon 8 modfedd yn gyffredin i wneud sglodion o feintiau cymharol fawr, gyda manteision gan gynnwys arwynebedd mwy a'r gallu i wneud mwy o sglodion ar un wafer silicon, gan arwain at effeithlonrwydd cynhyrchu cynyddol. Mae gan y wafer silicon 8 modfedd hefyd briodweddau mecanyddol a chemegol da, sy'n addas ar gyfer cynhyrchu cylchedau integredig ar raddfa fawr.

Nodweddion cynnyrch

Math P/N 8", Wafer silicon wedi'i sgleinio (25 darn)

Cyfeiriadedd: 200

Gwrthiant: 0.1 - 40 ohm•cm (Gall amrywio o swp i swp)

Trwch: 725 +/- 20um

Gradd Prif/Monitro/Prawf

PRIFEDDAU DEUNYDDOL

Paramedr	Nodwedd
Math/Dopant	P, Boron N, Ffosfforws N, Antimoni N, Arsenig
Cyfeiriadau	<100>, <111> cyfeiriadau torri i ffwrdd yn unol â manylebau'r cwsmer
Cynnwys Ocsigen	10¹⁹Goddefiannau personol ppmA yn ôl manyleb y cwsmer
Cynnwys Carbon	< 0.6 ppmA

PRIFEDDAU MECANYDDOL

Paramedr	Prif	Monitro/ Prawf A	Prawf
Diamedr	200±0.2mm	200 ± 0.2mm	200 ± 0.5 mm
Trwch	725±20µm (safonol)	725±25µm (safonol) 450±25µm 625±25µm 1000±25µm 1300±25µm 1500±25 µm	725±50µm (safonol)
TTV	< 5 µm	< 10 µm	< 15 µm
Bwa	< 30 µm	< 30 µm	< 50 µm
Lapio	< 30 µm	< 30 µm	< 50 µm
Rowndiad Ymyl	LLED-STD
Marcio	Fflatiau LLED-Fflat Cynradd yn unig, Fflatiau LLED-Fflat Safonol Fflat Jeida, Rhic

Paramedr	Prif	Monitro/ Prawf A	Prawf
Meini Prawf yr Ochr Flaen
Cyflwr yr wyneb	Cemegol Mecanyddol wedi'i Sgleinio	Cemegol Mecanyddol wedi'i Sgleinio	Cemegol Mecanyddol wedi'i Sgleinio
Garwedd Arwyneb	< 2 A°	< 2 A°	< 2 A°
Halogiad Gronynnau@ >0.3 µm	= 20	= 20	= 30
Niwl, Pyllau Croen oren	Dim	Dim	Dim
Llif, Marciau Rhigiadau	Dim	Dim	Dim
Meini Prawf yr Ochr Gefn
Craciau, traed y frân, marciau llif, staeniau	Dim	Dim	Dim
Cyflwr yr wyneb	wedi'i ysgythru'n gostig