Mae wafferi SiC yn lled-ddargludyddion wedi'u gwneud o garbid silicon.Datblygwyd y deunydd hwn ym 1893 ac mae'n ddelfrydol ar gyfer amrywiaeth o gymwysiadau.Yn arbennig o addas ar gyfer deuodau Schottky, rhwystr cyffordd deuodau Schottky, switshis a transistorau effaith maes metel-ocsid-lled-ddargludyddion.Oherwydd ei galedwch uchel, mae'n ddewis ardderchog ar gyfer cydrannau electronig pŵer.
Ar hyn o bryd, mae dau brif fath o wafferi SiC.Mae'r cyntaf yn wafer caboledig, sy'n wafer carbid silicon sengl.Mae wedi'i wneud o grisialau SiC purdeb uchel a gall fod yn 100mm neu 150mm mewn diamedr.Fe'i defnyddir mewn dyfeisiau electronig pŵer uchel.Yr ail fath yw wafer carbid silicon grisial epitaxial.Gwneir y math hwn o wafer trwy ychwanegu un haen o grisialau silicon carbid i'r wyneb.Mae'r dull hwn yn gofyn am reolaeth fanwl gywir ar drwch y deunydd ac fe'i gelwir yn epitaxy math N.
Y math nesaf yw beta silicon carbide.Cynhyrchir Beta SiC ar dymheredd uwch na 1700 gradd Celsius.Alpha carbidau yw'r rhai mwyaf cyffredin ac mae ganddynt strwythur grisial hecsagonol tebyg i wurtzite.Mae'r ffurf beta yn debyg i ddiamwnt ac fe'i defnyddir mewn rhai cymwysiadau.Dyma'r dewis cyntaf erioed ar gyfer cynhyrchion lled-orffen pŵer cerbydau trydan.Mae sawl cyflenwr wafferi carbid silicon trydydd parti yn gweithio ar y deunydd newydd hwn ar hyn o bryd.
Mae wafferi ZMSH SiC yn ddeunyddiau lled-ddargludyddion poblogaidd iawn.Mae'n ddeunydd lled-ddargludyddion o ansawdd uchel sy'n addas iawn ar gyfer llawer o gymwysiadau.Mae wafferi carbid silicon ZMSH yn ddeunydd defnyddiol iawn ar gyfer amrywiaeth o ddyfeisiau electronig.Mae ZMSH yn cyflenwi ystod eang o wafferi a swbstradau SiC o ansawdd uchel.Maent ar gael ar ffurf N-math a lled-inswleiddio.
2---Silicon Carbide: Tuag at gyfnod newydd o wafferi
Priodweddau ffisegol a nodweddion carbid silicon
Mae gan silicon carbid strwythur grisial arbennig, gan ddefnyddio strwythur llawn hecsagonol tebyg i ddiamwnt.Mae'r strwythur hwn yn galluogi carbid silicon i gael dargludedd thermol rhagorol ac ymwrthedd tymheredd uchel.O'i gymharu â deunyddiau silicon traddodiadol, mae gan garbid silicon lled bwlch band mwy, sy'n darparu bylchau band electron uwch, gan arwain at symudedd electronau uwch a cherrynt gollyngiadau is.Yn ogystal, mae gan garbid silicon hefyd gyflymder drifft dirlawnder electron uwch a gwrthedd is o'r deunydd ei hun, gan ddarparu perfformiad gwell ar gyfer cymwysiadau pŵer uchel.
Achosion cais a rhagolygon wafferi carbid silicon
Cymwysiadau electroneg pŵer
Mae gan wafer silicon carbid ragolygon cymhwysiad eang ym maes electroneg pŵer.Oherwydd eu symudedd electronau uchel a dargludedd thermol rhagorol, gellir defnyddio wafferi SIC i gynhyrchu dyfeisiau newid dwysedd pŵer uchel, megis modiwlau pŵer ar gyfer cerbydau trydan a gwrthdroyddion solar.Mae sefydlogrwydd tymheredd uchel wafferi carbid silicon yn galluogi'r dyfeisiau hyn i weithredu mewn amgylcheddau tymheredd uchel, gan ddarparu mwy o effeithlonrwydd a dibynadwyedd.
Cymwysiadau optoelectroneg
Ym maes dyfeisiau optoelectroneg, mae wafferi carbid silicon yn dangos eu manteision unigryw.Mae gan ddeunydd silicon carbid nodweddion bwlch band eang, sy'n ei alluogi i gyflawni ynni ffotonon uchel a cholli golau isel mewn dyfeisiau optoelectroneg.Gellir defnyddio wafferi silicon carbid i baratoi dyfeisiau cyfathrebu cyflym, ffotosynwyryddion a laserau.Mae ei ddargludedd thermol rhagorol a dwysedd diffygion crisial isel yn ei gwneud yn ddelfrydol ar gyfer paratoi dyfeisiau optoelectroneg o ansawdd uchel.
Rhagolwg
Gyda'r galw cynyddol am ddyfeisiau electronig perfformiad uchel, mae gan wafferi carbid silicon ddyfodol addawol fel deunydd sydd â phriodweddau rhagorol a photensial cymhwysiad eang.Gyda gwelliant parhaus technoleg paratoi a lleihau cost, bydd cymhwysiad masnachol wafferi carbid silicon yn cael ei hyrwyddo.Yn ystod yr ychydig flynyddoedd nesaf, disgwylir y bydd wafferi carbid silicon yn dod i mewn i'r farchnad yn raddol ac yn dod yn ddewis prif ffrwd ar gyfer cymwysiadau pŵer uchel, amledd uchel a thymheredd uchel.
3 --- Dadansoddiad manwl o farchnad wafferi SiC a thueddiadau technoleg
Dadansoddiad manwl o yrwyr marchnad wafferi silicon carbid (SiC).
Mae nifer o ffactorau allweddol yn dylanwadu ar dwf y farchnad wafferi carbid silicon (SiC), ac mae dadansoddiad manwl o effaith y ffactorau hyn ar y farchnad yn hollbwysig.Dyma rai o brif yrwyr y farchnad:
Arbed ynni a diogelu'r amgylchedd: Mae nodweddion perfformiad uchel a defnydd pŵer isel deunyddiau carbid silicon yn ei gwneud yn boblogaidd ym maes arbed ynni a diogelu'r amgylchedd.Mae'r galw am gerbydau trydan, gwrthdroyddion solar a dyfeisiau trosi ynni eraill yn gyrru twf marchnad wafferi carbid silicon gan ei fod yn helpu i leihau gwastraff ynni.
Cymwysiadau Electroneg Pŵer: Mae carbid silicon yn rhagori mewn cymwysiadau electroneg pŵer a gellir ei ddefnyddio mewn electroneg pŵer o dan bwysau uchel a thymheredd uchel.Gyda phoblogeiddio ynni adnewyddadwy a hyrwyddo trawsnewid pŵer trydan, mae'r galw am wafferi carbid silicon yn y farchnad electroneg pŵer yn parhau i gynyddu.
wafferi SiC dyfodol gweithgynhyrchu technoleg duedd datblygu dadansoddiad manwl
Cynhyrchu màs a lleihau costau: Bydd gweithgynhyrchu wafferi SiC yn y dyfodol yn canolbwyntio mwy ar gynhyrchu màs a lleihau costau.Mae hyn yn cynnwys gwell technegau twf megis dyddodiad anwedd cemegol (CVD) a dyddodiad anwedd ffisegol (PVD) i gynyddu cynhyrchiant a lleihau costau cynhyrchu.Yn ogystal, disgwylir i fabwysiadu prosesau cynhyrchu deallus ac awtomataidd wella effeithlonrwydd ymhellach.
Maint a strwythur wafferi newydd: Gall maint a strwythur wafferi SiC newid yn y dyfodol i ddiwallu anghenion gwahanol gymwysiadau.Gall hyn gynnwys wafferi diamedr mwy, strwythurau heterogenaidd, neu wafferi amlhaenog i ddarparu mwy o hyblygrwydd dylunio a dewisiadau perfformiad.
Effeithlonrwydd Ynni a Gweithgynhyrchu Gwyrdd: Bydd gweithgynhyrchu wafferi SiC yn y dyfodol yn rhoi mwy o bwyslais ar effeithlonrwydd ynni a gweithgynhyrchu gwyrdd.Bydd ffatrïoedd sy'n cael eu pweru gan ynni adnewyddadwy, deunyddiau gwyrdd, ailgylchu gwastraff a phrosesau cynhyrchu carbon isel yn dod yn dueddiadau mewn gweithgynhyrchu.
Amser post: Ionawr-19-2024